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[특허 요약] 본 발명은 텅스텐 산화물 전극의 제조방법에 관한 것으로, 텅스텐 모재를 준비하는 단계; 상기 텅스텐 모재를 양극산화하여 예비 텅스텐 산화물을 형성하는 단계; 상기 예비 텅스텐 산화물을 열처리하는 단계; 상기 열처리된 텅스텐 산화물을 전기적으로 환원하는 환원 전류인가 단계를 포함하는 텅스텐 산화물 전극의 제조방법을 제공한다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 기초과학연구원, 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 | 윤제용, 김지예, 김성환, 성영은, 강진수, 김진 |
| 출원번호 | 1020150124711 |
| 출원일 | 2015.09.03 |
| 등록번호 | 101676699B |
| 등록일 | 2016.11.16 |
| 중요 키워드 | tungsten oxideelectrodetungsten |
본 발명은 텅스텐 산화물 전극의 제조방법에 관한 것으로, 텅스텐 모재를 준비하는 단계; 상기 텅스텐 모재를 양극산화하여 예비 텅스텐 산화물을 형성하는 단계; 상기 예비 텅스텐 산화물을 열처리하는 단계; 상기 열처리된 텅스텐 산화물을 전기적으로 환원하는 환원 전류인가 단계를 포함하는 텅스텐 산화물 전극의 제조방법을 제공한다.
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