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기존 헤테로원자 도핑 그래핀 제조 방식은 복잡하고 특정 전구체를 요구하며 대량 생산에 한계가 있었습니다. 본 기술은 하이드록시기를 포함하지 않는 헤테로원자 전구체(S, N, B, Si, P, F 등)와 알칼리금속 공급원의 혼합물을 비활성 분위기에서 온화하게 가열하여 고함량 헤테로원자 도핑 그래핀을 대량으로 제조합니다. 이 방법은 디메틸설폭사이드(DMSO)나 디메틸포름아미드(DMF) 같은 전구체를 활용하며, 낮은 온도에서도 고품질 그래핀을 얻을 수 있습니다. 제조된 그래핀은 리튬 이온 전지의 음극 재료로 우수한 성능을 보이며, 에너지 저장용 산소 환원 반응 촉매로도 활용 가능합니다. 간단하고 경제적인 공정을 통해 차세대 에너지 장치의 핵심 소재 개발을 가속화할 수 있습니다.
| 기술 분야 | 나노소재 제조 |
| 판매 유형 | 자체 판매 |
| 판매 상태 | 판매 중 |
| 기술명 | |
| 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법 | |
| 기관명 | |
| 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 | |
| 대표 연구자 | 공동연구자 |
| 성영은 | - |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 1020150028476 | 1023359730000 |
| 권리구분 | 출원일 |
| 특허 | 2015.02.27 |
| 중요 키워드 | |
산소 환원 촉매도핑 기술나노 신소재그래핀 제조 방법음극 재료그래핀 응용 | |
그래핀은 독특한 구조와 뛰어난 특성으로 다양한 연구 분야에서 주목받고 있지만, 새로운 기능과 응용을 위해 형태 조정 및 화학적 도핑 연구가 활발히 진행되고 있습니다.
화학적 도핑은 그래핀의 전기적 특성과 화학적 활성을 변화시키는 효과적인 방법으로, B, N, P, S 등 다양한 원소가 사용됩니다.
기존의 헤테로원자 도핑 그래핀 제조 방법은 공정이 복잡하고 비용이 높으며, 대규모 생산에 어려움이 있었습니다.
또한, 각 원소마다 다른 도핑 방법이 요구되며, 특정 방법(예: 일본 특허)은 반드시 하이드록시기(-OH)를 포함하는 전구체를 사용해야 하는 한계가 있었습니다.
간단하고 저비용으로 대량 생산이 가능한 새로운 헤테로원자 도핑 그래핀 제조 방법의 개발이 시급합니다.
다양한 헤테로원자를 동일한 공정 원리로 도핑할 수 있는 범용적인 제조 기술이 필요합니다.
하이드록시기가 없는 원료를 사용하고, 보다 안전하고 다루기 쉬운 시약(예: NaOH)을 활용하여 공정의 유연성과 안정성을 높일 필요가 있습니다.

본 발명은 하이드록시기를 포함하지 않는 헤테로원자 전구체와 알칼리금속 공급원의 혼합물을 비활성 분위기에서 가열하여 헤테로원자로 도핑된 그래핀을 제조하는 원리입니다.
헤테로원자 전구체로는 디메틸설폭사이드(DMSO)나 디메틸포름아미드(DMF) 등을 사용하고, 알칼리금속 공급원으로는 Na 또는 NaOH를 사용합니다.
이 반응은 비교적 온화한 조건인 150℃ 내지 300℃에서 진행되어, 간단한 공정으로 대량 생산이 가능합니다.
S-도핑된 그래핀 합성: NaOH와 디메틸설폭사이드(DMSO) 혼합 용액을 질소 기체 하에서 약 250℃로 가열합니다. 약 24시간 후 생성된 흑색 고체 물질을 세척 및 건조하여 최종 생성물을 얻습니다.
N-도핑된 그래핀 합성: 디메틸포름아미드(DMF)와 나트륨 금속을 오토클레이브에 넣고 190℃에서 72시간 동안 가열합니다. 냉각 후 생성물을 세척 및 건조하여 최종 생성물을 얻습니다.
높은 헤테로원자 함량: 본 발명으로 제조된 S-도핑된 그래핀의 황 함량은 22.83 wt%, N-도핑된 그래핀의 질소 함량은 12.25 wt%로, 기존 기술 대비 월등히 높은 수치입니다.
간단한 공정 및 대량생산 가능성: 복잡한 장비 없이 간단한 가열 공정만으로 합성이 가능하며, 대량 생산에 용이합니다.
우수한 전기화학적 특성: 높은 헤테로원자 함량 덕분에 기존 그래핀 대비 더 우수한 전기화학적 특성을 보이며, 특히 리튬 이온 전지 음극재로 사용 시 높은 사이클 안정성과 쿨롱 효율을 나타냅니다.
본 실험은 새롭게 개발된 제조 방법으로 합성된 헤테로원자(S, N) 도핑 그래핀의 물리적, 화학적 특성을 분석하고, 이를 기존 용매열법으로 합성된 그래핀과 비교 평가하는 것을 목적으로 합니다. 또한, 리튬 이온 전지 음극재 및 산소 환원 반응 촉매로서의 전기화학적 성능을 검증하여 실제 응용 가능성을 확인하고자 합니다.
샘플 준비: 실시예 1(S-도핑), 실시예 2(N-도핑), 비교예 1(용매열법)에 따라 각각의 그래핀 샘플을 합성합니다.
특성 분석: TEM, 라만 분광법, XRD, BET, XPS 등의 분석 장비를 사용하여 각 샘플의 구조, 표면적, 화학적 구성 및 결합 상태를 분석합니다.
전기화학적 성능 평가: 코인 셀을 제작하여 전류 밀도 200 mAg-1 조건에서 충·방전 사이클 테스트를 진행하고, 가역 용량 및 쿨롱 효율을 측정하여 배터리 음극재로서의 성능을 평가합니다. 또한, 회전-디스크 전극(RDE)을 이용하여 산소 환원 반응(ORR)에 대한 전기촉매 활성을 평가합니다.
실험 결과, S-도핑 및 N-도핑된 그래핀은 용매열합성된 그래핀과 비교하여 전도도는 다소 낮았지만, BET 표면적과 초기 쿨롱 효율 면에서 유의미한 특성 차이를 보였습니다. 특히 S-도핑된 그래핀은 월등히 높은 표면적을 나타냈으며, N-도핑된 그래핀과 함께 높은 초기 쿨롱 효율을 기록하여 부반응 억제 효과를 확인했습니다.
구분 | 전도도 (Sm-1) | BET 표면적 (m2g-1) | 초기 쿨롱 효율 (%) |
|---|---|---|---|
S-도핑된 그래핀 | 0.607×10-3 | 754 | 65.8 |
N-도핑된 그래핀 | 0.416×10-3 | 317 | 58.3 |
용매열합성된 그래핀 | 0.121 | 데이터 없음 | 45.8 |
리튬 이온 전지 음극재 성능 평가에서 S-도핑된 그래핀과 N-도핑된 그래핀은 각각 99.8%와 98.5%의 높은 평균 쿨롱 효율을 보여, 용매열합성 그래핀(97.2%)보다 우수한 사이클 안정성을 입증했습니다. 이는 헤테로원자 도핑이 전해질 분해와 같은 부반응을 효과적으로 억제함을 시사합니다.
리튬 이온 전지 음극재: 높은 가역 용량과 뛰어난 사이클 안정성을 바탕으로 전기차, 에너지 저장 시스템(ESS) 등 고성능 리튬 이온 전지의 음극 활물질로 활용될 수 있습니다.
에너지 저장용 촉매: 우수한 산소 환원 반응(ORR) 활성을 보여, 연료 전지나 금속-공기 전지 등의 공기극 촉매로 활용될 수 있습니다.
기타 응용: 높은 표면적과 전기화학적 특성을 활용하여 슈퍼커패시터, 센서, 복합소재 등 다양한 분야로의 응용이 기대됩니다.
에너지 저장 장치 성능 향상: 차세대 이차전지 및 연료 전지의 효율과 수명을 획기적으로 개선하여 에너지 산업 발전에 기여할 수 있습니다.
제조 비용 절감 및 상용화 촉진: 간단하고 저렴한 공정을 통해 고성능 그래핀 소재의 가격 경쟁력을 확보하고, 상용화를 앞당길 수 있습니다.
소재 기술 경쟁력 확보: 원천 기술 확보를 통해 차세대 탄소 소재 시장에서 기술적 우위를 점하고, 관련 산업의 생태계를 강화할 수 있습니다.
본 기술이 직접적으로 적용될 수 있는 리튬이차전지 음극재 시장은 가파른 성장세에 있습니다. SNE리서치에 따르면, 음극재 시장 규모는 2023년 160만 톤(약 10조 원)에서 2035년 390만 톤(약 25조 원)으로 2.5배 이상 성장할 전망입니다. (출처: SNE리서치) 특히, 본 기술과 같이 용량을 획기적으로 늘릴 수 있는 실리콘 음극재 등 차세대 소재의 비중은 2030년 이후 10% 이상으로 크게 증가할 것으로 예상되어, 높은 성장 잠재력을 가지고 있습니다.
전기차 시장의 지속적인 확대와 무선화, 친환경 트렌드에 따라 고성능 배터리 수요가 급증하고 있습니다.
그래핀 소재 시장 자체도 2034년 16억 달러 규모로 성장할 것으로 전망되며 (출처: IDTechEx), 본 기술은 그래핀 응용 시장과 배터리 소재 시장의 성장을 동시에 견인할 수 있는 잠재력을 가집니다.
현재 음극재 시장은 중국 기업들이 높은 점유율을 차지하고 있으나, 미국 IRA 등의 정책으로 공급망 다변화가 시급한 과제로 떠올랐습니다. 이에 따라 한국의 주요 배터리 소재 기업들이 차세대 음극재, 특히 실리콘 음극재 개발에 적극적으로 뛰어들고 있어 기술 경쟁이 치열해지고 있습니다.
기업명 | 주요 동향 |
|---|---|
POSCO Future M | 2030년까지 37만 톤 규모의 음극재 흑연 생산 확보 목표. 포스코실리콘솔루션을 통해 실리콘 음극재 개발. |
대주전자재료 | 국내 대표적인 실리콘 음극재 개발 기업. |
한솔케미칼 | 실리콘 음극재 사업 진출. |
SK 그룹 | SK 머티리얼즈 그룹14, SKC 등을 통해 실리콘 음극재 사업 추진. |
엠케이전자 | 실리콘 음극재 개발 진행. |
동진쎄미켐 | 실리콘 음극재 개발 진행. |
고성능 배터리 수요 증가: 전기차 주행거리 향상, IT 기기 사용 시간 증대를 위해 기존 흑연 음극재의 한계를 뛰어넘는 고용량 신소재에 대한 요구가 폭발적으로 증가하고 있습니다.
공급망 재편(탈중국): IRA와 같은 정책적 변화는 중국 외 지역에서 생산된 핵심 소재의 중요성을 부각시키고 있습니다. 독자적인 원천 기술을 보유한 국내 기업에게는 시장 점유율을 확대할 수 있는 절호의 기회입니다.
정부의 적극적인 지원: 한국 정부는 'K-배터리 발전 전략'을 통해 이차전지 산업을 국가전략기술로 지정하고 대규모 R&D 및 세제 지원을 약속하고 있어, 기술 개발 및 상용화에 유리한 환경이 조성되고 있습니다. (출처: 베스트 CEO)

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[기술 요약] 기존 헤테로원자 도핑 그래핀 제조 방식은 복잡하고 특정 전구체를 요구하며 대량 생산에 한계가 있었습니다. 본 기술은 하이드록시기를 포함하지 않는 헤테로원자 전구체(S, N, B, Si, P, F 등)와 알칼리금속 공급원의 혼합물을 비활성 분위기에서 온화하게 가열하여 고함량 헤테로원자 도핑 그래핀을 대량으로 제조합니다. 이 방법은 디메틸설폭사이드(DMSO)나 디메틸포름아미드(DMF) 같은 전구체를 활용하며, 낮은 온도에서도 고품질 그래핀을 얻을 수 있습니다. 제조된 그래핀은 리튬 이온 전지의 음극 재료로 우수한 성능을 보이며, 에너지 저장용 산소 환원 반응 촉매로도 활용 가능합니다. 간단하고 경제적인 공정을 통해 차세대 에너지 장치의 핵심 소재 개발을 가속화할 수 있습니다.
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