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[특허 요약] 본 발명은 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 (i) 헤테로원자 전구체 및 알칼리금속 공급원의 혼합물을 비활성 분위기 하에서 가열하는 단계; 및 (ii) 헤테로원자로 도핑된 그래핀을 분리하는 단계를 포함하고, 상기 헤테로원자 전구체는 하이드록시기를 포함하지 아니하는 것임을 특징으로 하는, 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법 및 이렇게 제조된 그래핀의 용도에 대한 것이다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 성영은, 박원철, 권파, 유승호 |
| 출원번호 | 1020150028476 |
| 출원일 | 2015.02.27 |
| 등록번호 | 20160105152 |
| 등록일 | 2016.09.06 |
| 중요 키워드 | graphenedopeddoped graphene |
본 발명은 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 (i) 헤테로원자 전구체 및 알칼리금속 공급원의 혼합물을 비활성 분위기 하에서 가열하는 단계; 및 (ii) 헤테로원자로 도핑된 그래핀을 분리하는 단계를 포함하고, 상기 헤테로원자 전구체는 하이드록시기를 포함하지 아니하는 것임을 특징으로 하는, 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법 및 이렇게 제조된 그래핀의 용도에 대한 것이다.








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