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[특허 요약] 본원은 화학식 1 로 표시되는 전구체를, 제 1 구역 및 제 2 구역을 포함하는 챔버에 공급하는 단계, 상기 제 1 구역에서 상기 전구체를 기화 또는 승화시키는 단계, 및 상기 제 2 구역에서 기화 또는 승화된 상기 전구체를 금속 기판 상에 증착하여 그래파인을 형성하는 단계를 포함하는, 그래파인의 제조 방법에 대한 것이다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 성균관대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 이효영, 서소현, 최정수 |
| 출원번호 | 1020210095877 |
| 출원일 | 2021.07.21 |
| 등록번호 | 20230014483 |
| 등록일 | 2023.01.30 |
| 중요 키워드 | grapheneprecursorzone |
본원은 화학식 1 로 표시되는 전구체를, 제 1 구역 및 제 2 구역을 포함하는 챔버에 공급하는 단계, 상기 제 1 구역에서 상기 전구체를 기화 또는 승화시키는 단계, 및 상기 제 2 구역에서 기화 또는 승화된 상기 전구체를 금속 기판 상에 증착하여 그래파인을 형성하는 단계를 포함하는, 그래파인의 제조 방법에 대한 것이다.








| 출원번호 | 출원일 |
| 202217869360 | 2022.07.20 |
| 종류코드 | |
| A1 | |
| 외부 링크 | |
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