AI요약

기존 그래핀의 한계인 밴드갭 부재 문제를 해결하는 새로운 2차원 반도체 구조체 및 그 제조 기술을 소개합니다. 본 기술은 sp2 및 sp 삼중 결합을 포함하며, 6원 및 8원 탄소 고리에 의해 정밀하게 제어된 공공(holes)을 갖는 혁신적인 2차원 구조체를 제공합니다. 이 구조체는 0.1 eV에서 4.0 eV 범위의 조절 가능한 직접 밴드갭을 가지며, 높은 전자 및 정공 이동도를 보여 반도체 물질로서 활용될 수 있습니다. 또한, 극성 및 비극성 용매 계면에서의 정교한 합성 단계를 통해 대량 생산이 가능한 제조 방법을 제시합니다. 이 신소재는 유기 트랜지스터, 태양광 촉매 등 차세대 전자 소자 개발에 기여할 것으로 기대됩니다.