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기존 전이금속 디칼코게나이드 제조 방식은 낮은 결정성과 불균일한 박막 형성의 한계가 있었습니다. 본 기술은 칼코게나이드 기체를 전이금속 소스에 공급하고 가열하는 화학기상증착(CVD) 방식을 활용합니다. 특히, 승온 속도와 성장 시간을 정밀하게 제어하여 원하는 결정 구조(1T/1T'상 또는 2H상)를 갖는 전이금속 디칼코게나이드를 대면적으로 균일하게 제조하며, 두께와 결정성까지 향상시킬 수 있습니다. 이를 통해 차세대 반도체, 저전력 전기 장치, 디스플레이, 광전지 등 다양한 분야에 활용 가능한 고품질 박막 생산이 가능합니다.
| 기술 분야 | 반도체 소재 제조 |
| 판매 유형 |
| 자체 판매 |
| 판매 상태 | 판매 중 |
| 기술명 | |
| 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법 및 제조 장치 | |
| 기관명 | |
| 성균관대학교산학협력단, 기초과학연구원 | |
| 대표 연구자 | 공동연구자 |
| 이영희 | - |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 1020150012193 | 1016381210000 |
| 권리구분 | 출원일 |
| 특허 | 2015.01.26 |
| 중요 키워드 | |
결정성 제어유연 디스플레이새로운 반도체는?몰리브덴 디설파이드박막 제조 기술수소 생산 기술 | |
전이금속 디칼코게나이드(TMD)는 저전력 전기 장치, 디스플레이, 수소 생산 등 다양한 분야에 활용되는 차세대 반도체 재료로 주목받고 있습니다.
하지만 기존의 스퍼터링 및 열처리 방식은 제조된 박막의 결정성이 낮고 표면이 고르지 못한 문제점이 있었습니다.
높은 결정성을 가지며 균일한 박막으로 제조할 수 있는 새로운 제조 방법의 필요성이 대두되었습니다.
특히 대면적으로 균일하게 TMD를 제조하고, 박막의 두께를 정밀하게 제어할 수 있는 기술이 요구됩니다.
본 발명은 화학기상증착(CVD) 원리를 이용하여, 칼코게나이드 기체 분위기 하에서 전이금속 소스를 가열하여 반응시키는 방식을 채택합니다.
핵심 원리는 칼코게나이드 분위기를 먼저 조성한 후 전이금속 소스를 가열하는 것입니다. 이는 전이금속이 칼코게나이드와 반응하기 전에 먼저 결정질로 변하는 것을 방지하여 균일한 박막 형성을 유도합니다.
칼코게나이드 기체 제공: 고체 상태의 칼코게나이드 소스(예: 텔레늄, 황, 셀레늄)를 가열하여 기화시킨 후, 전이금속 소스(예: 몰리브덴, 텅스텐)가 위치한 곳으로 제공합니다.
전이금속 소스 가열 및 반응: 칼코게나이드 기체 분위기가 형성된 상태에서 전이금속 소스를 500~1,000℃로 가열하여, 칼코게나이드와 전이금속을 반응시켜 결정질의 전이금속 디칼코게나이드를 형성합니다.

▲ 전이금속 디칼코게나이드 제조 장치 모식도: 제1 반응부에서 기화된 칼코게나이드 소스가 제2 반응부의 전이금속 소스와 반응하여 박막을 형성합니다.
대면적에 균일한 품질의 전이금속 디칼코게나이드를 제조할 수 있습니다.
박막의 두께를 용이하게 조절할 수 있습니다.
결정화가 적층 구조로 일어나 결정성이 향상된 결과물을 얻을 수 있습니다.
가열 승온 속도나 성장 시간을 조절하여 금속성을 띠는 1T/1T' 상(phase) 또는 반도체 특성을 갖는 2H 상(phase)의 결정 구조를 선택적으로 제조할 수 있습니다.
본 발명의 제조 방법에 따라 성장 시간을 변수로 하여 전이금속 디칼코게나이드(MoTe2)를 제조하고, 성장 시간에 따른 결정 구조의 변화를 분석하여 기술의 유효성을 검증하는 것을 목적으로 합니다.
시료 준비: 칼코게나이드 소스로 텔레늄(Te) 파우더, 전이금속 소스로 유리 기판 위의 몰리브덴(Mo) 박막을 준비합니다.
기체 제공 및 가열: 텔레늄 파우더를 약 650℃로 가열하여 기화시킨 후, 텔레늄 분위기 하에서 몰리브덴 박막을 상온에서 약 610℃까지 가열합니다.
성장 시간 조절: 약 610℃에서 각각 20분(샘플 1), 1시간(샘플 2), 3시간(샘플 3) 동안 성장 시간을 유지하여 샘플을 제조합니다.
분석: 제조된 각 샘플을 라만 스펙트럼 및 X선 회절(XRD) 분석을 통해 특성을 평가합니다.
실험 결과, 성장 시간이 길어질수록 전이금속 디칼코게나이드의 결정 구조가 변화함을 확인했습니다. 20분 성장시킨 샘플 1에서는 1T' 상이 주로 관찰되었으나, 1시간(샘플 2)을 거쳐 3시간(샘플 3) 성장시킨 샘플에서는 2H 상으로의 상변화가 뚜렷하게 나타났습니다. 이는 성장 시간 조절을 통해 원하는 결정 구조를 제어할 수 있음을 의미합니다.
차세대 전자 소자: 스위칭 소자, 투명/유연 소자, 고성능 전계효과 트랜지스터(FET), 비휘발성 메모리 소자 등
고효율 광전 소자: 광검출기, 광트랜지스터, 태양전지의 광흡수층 및 창층
에너지 및 환경 분야: 그린 수소 생산을 위한 고효율/저비용 전기화학 촉매, 연료전지 및 수전해 장치의 전극 소재
고감도 센서: 특정 가스를 정밀하게 감지하는 가스 센서
기존 실리콘 반도체의 한계를 뛰어넘는 고성능, 저전력, 유연 소자 구현을 통해 차세대 전자기기 시장을 선도할 수 있습니다.
고가의 백금 등 귀금속 촉매를 저렴한 전이금속 기반 촉매로 대체하여 그린 수소 생산 비용을 획기적으로 절감하고 수소 경제 활성화에 기여할 수 있습니다.
사물인터넷(IoT), 웨어러블 디바이스, 차세대 배터리 등 다양한 미래 산업에 적용 가능한 핵심 원천 기술을 확보하여 국가 기술 경쟁력을 강화할 수 있습니다.
전이금속 디칼코게나이드(TMD) 소재 자체는 아직 연구 개발 단계에 있지만, 핵심 소재인 이황화 몰리브덴(MoS2) 시장은 꾸준한 성장이 예상됩니다. 세계 MoS2 시장은 2024년 6억 5천만 달러 규모에서 연평균 3.48% 성장하여 2033년에는 8억 9,880만 달러에 이를 것으로 전망됩니다. (출처: GII)
또한, TMD 기술이 적용될 관련 시장의 성장 잠재력은 매우 큽니다.
연료전지 시장: 2023년 33억 달러에서 2028년 87억 달러 규모로 연평균 21.7%의 높은 성장이 예상됩니다. (출처: 충남대학교 산학협력단)
수전해 장치 시장: 그린 수소 생산의 핵심으로, 2021년 약 8.86억 달러에서 2031년 약 99.97억 달러 규모로 급격한 성장이 예상됩니다. (출처: 충남대학교 산학협력단)
현재 TMD 소재는 상용 제품 양산 단계가 아니므로 명확한 시장 주도 기업은 없으며, 주로 대학과 연구소를 중심으로 기술 개발 경쟁이 이루어지고 있습니다. 다만, 기술 선점을 위한 특허 출원은 활발하며, 한국의 관련 특허 동향은 다음과 같습니다.
한국 전이금속 칼코겐화합물 광소재 관련 특허 출원 동향 (2012-2016)
구분 | 내용 |
|---|---|
주요 출원인 | 내국인 (87.4%) |
최다 출원 기업 | 삼성전자 (10.7%) |
고성능/저전력 소자 수요 증가: 사물인터넷(IoT), 웨어러블 기기, AI 반도체 등의 발전으로 기존 실리콘의 물리적 한계를 극복할 수 있는 신소재에 대한 요구가 폭발적으로 증가하고 있습니다.
글로벌 탄소중립 및 그린 수소 경제로의 전환: 저렴하고 효율적인 수소 생산 촉매 기술의 중요성이 부각되면서, 귀금속을 대체할 수 있는 TMD 소재가 유력한 대안으로 떠오르고 있습니다.
나노소재 합성 기술의 발전: 본 발명과 같이 대면적, 고품질 TMD 제조 기술이 지속적으로 발전하면서 상용화에 대한 기대감이 커지고 있으며, 이는 새로운 장비 및 소재 시장 창출의 기회가 될 것입니다.

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[기술 요약] 기존 전이금속 디칼코게나이드 제조 방식은 낮은 결정성과 불균일한 박막 형성의 한계가 있었습니다. 본 기술은 칼코게나이드 기체를 전이금속 소스에 공급하고 가열하는 화학기상증착(CVD) 방식을 활용합니다. 특히, 승온 속도와 성장 시간을 정밀하게 제어하여 원하는 결정 구조(1T/1T'상 또는 2H상)를 갖는 전이금속 디칼코게나이드를 대면적으로 균일하게 제조하며, 두께와 결정성까지 향상시킬 수 있습니다. 이를 통해 차세대 반도체, 저전력 전기 장치, 디스플레이, 광전지 등 다양한 분야에 활용 가능한 고품질 박막 생산이 가능합니다.
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