핵 생성 동역학 조절을 이용한 2차원 전이금속-칼코겐 화합물의 제조 방법

[기술 요약] 기존 그래핀 소재의 한계와 2차원 단일 원자층 물질의 대면적 제조 및 정교한 결정 방향 제어의 어려움은 고성능 전자 및 광전 소자 개발에 걸림돌이었습니다. 본 기술은 2차원 전이금속-칼코겐 화합물의 '핵 생성 동역학'을 정밀하게 조절하는 혁신적인 제조 방법을 제안합니다. 제1 화합물 위에 제2 화합물의 핵 생성을 제어하고, 핵 생성 에너지에 따른 공정 온도 조절을 통해 이종 수평 스티칭 또는 수직 적층 구조를 선택적으로 형성합니다. 이 방법을 통해 층간 회전 부정합 없이 육각 단위 셀 스택과 스티칭을 대면적으로 제조할 수 있습니다. 결과적으로, 기존 그래핀을 대체하는 고성능 전자 및 광전 소자 개발이 가능하며, 새로운 전기적·광학적 특성을 발현하는 반도체 및 광학 플랫폼에 폭넓게 응용될 수 있습니다.

기술 분야

2차원 반도체 소재 제조

기관

기초과학연구원

등록번호

1015642410000

키워드

단일 원자층, MoS2, 수평 접합, 광전 소자, 2차원 전이금속화합물, 반도체 소재, 재료 합성, 그래핀 대체, 핵 생성 동역학, 대면적 성장, 이종 구조, WS2, 수직 적층, 전자 소자, 차세대 반도체, 전자부품, 반도체제조, 반도체소자, 광학기기, 나노구조, 반도체/디스플레이

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