[특허 요약] 본 발명은 핵 생성 동역학 조절을 이용한 2차원 전이금속-칼코겐 화합물의 제조 방법을 공개한다. 이 방법의 제1 실시예는 (A) 제1 전이금속-칼코겐 화합물의 단일 원자층이 제1 온도에서 실리콘 산화물 기판 상에 성장되는 단계; (B) 제2 전이금속-칼코겐 화합물의 단일 원자층이 상기 제1 전이금속-칼코겐 화합물 상에 합체되어 상기 제1 전이금속-칼코겐 화합물의 가장자리에서부터 상기 제2 전이금속-칼코겐 화합물의 핵 생성이 시작되는 단계; (C) 제2 온도에서 순차적 단일층 결정화에 의해 이종 수평 스티칭 성장이 이루어져 상기 제2 전이금속-칼코겐 화합물이 상기 실리콘 산화물 기판 상에 수평 방향으로 성장되는 단계; 및 (D) 상기 수평 방향으로 성장된 제2 전이금속-칼코겐 화합물의 단결정이 합체되어 화학 반응이 일어나 다결정의 단일 원자층 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 순차적인 기상 성장동안 2차원 핵 생성 동력학의 조작에 의해 이종 2차원 적층 및 스티칭 단일층을 제공하여 층간 회전 부정합 없이 육각-온-육각 단위 셀 스택과 육각-바이-육각 스티칭을 제조함으로써 최종 크기 제한에서 정확하게 제어되는 대면적의 새로운 전자 및 광학 반도체 플랫폼 제공이 가능하게 된다.

등록번호

101564241B

출원번호

1020150117869

출원인

기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단

키워드

transition metal, chalcogen compound, nucleation, chalcogen, compound