AI요약

기존 2차원 전계 효과 트랜지스터(2D FET)는 2D 반도체와 3D 금속 사이의 높은 접촉 저항으로 성능 한계에 직면해 있습니다. 본 기술은 이러한 문제를 해결하기 위해, MoTe2의 다형성을 활용하여 2D 반도체(2H상)와 2D 금속(1T'상)을 원자적으로 순수한 에지 컨택 방식으로 연결하는 혁신적인 FET 구조 및 제조 방법을 제안합니다. 화학 기상 증착(CVD) 공정 중 온도와 NaCl 촉매를 정밀하게 제어하여 원하는 금속상과 반도체상을 안정적으로 성장시키고, 이들을 솔기 없는(Seamless) 헤테로 에피층으로 접합합니다. 이를 통해 나노 스케일 2D FET의 컨택 저항을 획기적으로 낮추어(기존 대비 5오더 이상), 10^5~10^7에 달하는 높은 온/오프 전류비와 향상된 이동도를 달성합니다. 결과적으로 트랜지스터의 높은 광반응성과 고주파 작동이 가능하며, 고집적 나노 소자 개발의 실용화와 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있습니다.