AI요약

기존 터널링 접합 소자의 두꺼운 절연층은 효율 저하와 낮은 수율을 야기하는 문제점이 있습니다. 본 발명은 이러한 한계를 극복하고자 층상구조의 전이금속 황화인을 혁신적인 절연층으로 활용합니다. 이 기술은 단분자층 수준의 극도로 얇은 두께에서도 안정적인 터널링 전류 특성을 유지하며, 고성능 전자소자 및 자기저항 소자 개발에 기여합니다. 특히, 제조 비용 절감과 높은 수율 달성에 유리하여 차세대 2차원 소재 기반 전자소자 상용화를 앞당길 것으로 기대됩니다. 본 기술은 트랜지스터 등 다양한 분야에 응용될 수 있습니다.