비휘발성 메모리 소자용 재료 및 이의 제조방법

[기술 요약] 기존 비휘발성 메모리 소자 재료인 이트륨망간산화물(YMnO3)은 높은 항전기장으로 인해 효율적인 자발분극 반전이 어려워 응용에 한계가 있었습니다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위해 육방정계 YMnO3에 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)을 도핑하여 새로운 비휘발성 메모리 소자용 재료를 개발하였습니다. 이 신소재는 항전기장을 감소시켜 자발분극의 방향 반전을 용이하게 하며, 이를 통해 비휘발성 메모리 소자의 전력 소모를 줄이고 응용 가능성을 크게 향상시킵니다. 또한, 본 발명은 이러한 혁신적인 재료를 효과적으로 제조하는 공정 방법도 함께 제공하고 있습니다. 차세대 저전력 고성능 메모리 개발에 기여할 것으로 기대됩니다.

기술 분야

비휘발성 메모리 소자 재료

기관

기초과학연구원

등록번호

1020500340000

키워드

비휘발성 메모리 기술, 메모리 소자 재료, 이트륨망간산화물, 항전기장, 플로팅 존 용융, 강유전체, 전력 소모 감소, 차세대 메모리, 자발분극, 재료 합성, 반도체 소자, 갈륨 도핑, FRAM, 알루미늄 도핑, 비휘발성 메모리, 전자부품, 반도체제조, 반도체소자, 무기화학, 반도체/디스플레이