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[특허 요약] 비휘발성 메모리 소자용 재료 및 이의 제조방법에서, 상기 비휘발성 메모리 소자용 재료는 육방정계(Hexagonal) 구조로 형성되며, 다음의 일반 화학식을 가지며, YMnxAyO3 여기서, x+y=1이고, A는 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)인 것을 특징으로 한다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 박제근, 김해리, 심하성 |
| 출원번호 | 1020180033025 |
| 출원일 | 2018.03.22 |
| 등록번호 | 20190111209 |
| 등록일 | 2019.10.02 |
| 중요 키워드 | memory devicenonvolatile memorycontainersintered bodymanufacturing |
비휘발성 메모리 소자용 재료 및 이의 제조방법에서, 상기 비휘발성 메모리 소자용 재료는 육방정계(Hexagonal) 구조로 형성되며, 다음의 일반 화학식을 가지며, YMnxAyO3 여기서, x+y=1이고, A는 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)인 것을 특징으로 한다.
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