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[특허 요약] 본 발명에 따른 층상구조의 전이금속 황화인을 이용한 터널링 접합 소자는 제 1 금속층과 제 2 금속층 사이에 층상구조 전이금속 황화인 단결정 물질이 들어간다. 층상구조 절연층을 형성하는 층상구조의 전이금속 황화인은 TMPS3이며, TM은 전이금속이다. 그리고 층상구조 절연층은 제1 금속층 및 제2 금속층 사이에 소정의 두께로 위치하며, 제1 금속층 및 제2 금속층 사이에 터널링 장벽 역할을 수행한다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원, 건국대학교 산학협력단 |
| 발명자 | 박제근, 이성민, 김해리, 박배호, 이상익 |
| 출원번호 | 1020170102477 |
| 출원일 | 2017.08.11 |
| 등록번호 | 20190017515 |
| 등록일 | 2019.02.20 |
| 중요 키워드 | transition metallayeredinsulating layerlayered structurelayer |
본 발명에 따른 층상구조의 전이금속 황화인을 이용한 터널링 접합 소자는 제 1 금속층과 제 2 금속층 사이에 층상구조 전이금속 황화인 단결정 물질이 들어간다. 층상구조 절연층을 형성하는 층상구조의 전이금속 황화인은 TMPS3이며, TM은 전이금속이다. 그리고 층상구조 절연층은 제1 금속층 및 제2 금속층 사이에 소정의 두께로 위치하며, 제1 금속층 및 제2 금속층 사이에 터널링 장벽 역할을 수행한다.
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