강유전체 박막 및 그 형성 방법

[기술 요약] 기존 HfO2 강유전체 박막은 고온 공정이 필수적이며, 이로 인해 결정학적 특성 파악 및 안정적인 소자 적용에 어려움이 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 새로운 강유전체 박막 형성 방법을 제안합니다. 희생 시드층을 활용한 전사 공정을 통해, 고온 처리 없이도 강유전체 박막을 상온에서 안정적으로 형성할 수 있습니다. 특히, HfO2 박막의 결정 구조를 두께에 따라 정밀하게 제어하고, 압축 스트레인된 대칭 상을 가짐으로써 강유전성을 향상시키며, 기존 분석으로는 어려웠던 상 식별의 명확성을 제공합니다. 이 기술은 강유전성 저하 및 기판 손상 없이 다양한 차세대 전자 소자에 안정적으로 적용 가능하여, 소자 개발의 한계를 극복하고 산업 발전에 기여할 것으로 기대됩니다.

기술 분야

강유전체 박막 형성

기관

기초과학연구원

등록번호

1027153630000

키워드

LSMO 희생층, HfO2 박막, 상온 전사 공정, 전자 소자 안정화, STO 기판, 반도체 소재, 결정 구조 제어, 강유전체 박막, 뉴로모픽 소자, 나노기술 응용, 이트륨 도핑 HfO2, 고온 공정 대체, 박막 형성 기술, 비휘발성 메모리, 차세대 반도체, 전자회로, 반도체소자, 나노구조