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| 특허 상태 | 거절 |
| 출원인 | 성균관대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 서동석, 비엣 통 르, 이영희, 이유락, 주민규 |
| 출원번호 | 1020150135120 |
| 출원일 | 2015.09.24 |
| 등록번호 | 20170036221 |
| 등록일 | 2017.04.03 |
| 중요 키워드 | substrateconductive layer |
본 발명은 저항의 크기가 변하지 않는 초고신축성 전도체 구조 및 제작 방법에 관한 것이다. 특히, 600% 수준의 길이변화에도 저항변화가 최대 1% 미만인 상태로 만들 수 있는 늘어나는 전도체의 구조 및 제작 방법에 관한 것이다.
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전기 저항 변화가 최소화된 신장성 전기 전도체 및 이의 제조 방법
[특허 요약] 본 발명은 저항의 크기가 변하지 않는 초고신축성 전도체 구조 및 제작 방법에 관한 것이다. 특히, 600% 수준의 길이변화에도 저항변화가 최대 1% 미만인 상태로 만들 수 있는 늘어나는 전도체의 구조 및 제작 방법에 관한 것이다.
