[특허 요약] 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법이 개시된다. 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법은 금박층 및 상기 금박층 하부에 배치되고 상기 금박층의 면적에 대응하는 면적을 가지며 메타텅스텐산암모늄(ammonium metatungstate, AMT)을 포함하는 전구체 용액이 분무되어 있는 세라믹 보트(ceramic boat)를 화학기상증착(CVD) 챔버내에 배치하는 단계; 상기 챔버내에 황화수소(H2S) 가스 또는 셀레늄화수소(H2Se) 가스와 질소(N2) 가스를 공급하는 단계; 및 상기 금박층 및 상기 세라믹 보트를 가열하여 상기 금박층의 하부면 상에 텅스텐 디설파이드(Tungsten disulphide, WS2) 또는 텅스텐 디셀레나이드(tungsten diselenide, WSe2)으로 이루어진 단일층을 형성하는 단계를 포함한다.

등록번호

20160099258

출원번호

1020150021485

출원인

성균관대학교산학협력단, 기초과학연구원

키워드

tungsten, layer, gold foil, foil layer, rti