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[기술 요약] 종래 플래시 메모리는 플로팅 게이트의 낮은 전하 트랩 밀도와 전하 손실 문제로 성능과 신뢰성에 한계가 있었고, 웨어러블 장치에 필요한 신축성을 확보하지 못했습니다. 본 기술은 이러한 문제를 해결하고자 금속 나노입자를 플로팅 게이트에 적용하고, 랭뮤어-블로젯 어셈블리 방법으로 균일하게 형성하며, 캡핑 리간드를 통해 전하 누설을 방지합니다. 이를 통해 우수한 신뢰성과 20% 신장 상태에서도 성능이 유지되는 뛰어난 신축성을 구현했습니다. 제조 공정이 간단하며, 웨어러블 생체신호 측정기와 전압 증폭기에 통합되어 생체 신호의 정확한 측정, 안정적인 저장 및 효율적 활용을 가능하게 합니다.

종래 플래시 메모리는 플로팅 게이트의 낮은 전하 트랩 밀도와 전하 손실 문제로 성능과 신뢰성에 한계가 있었고, 웨어러블 장치에 필요한 신축성을 확보하지 못했습니다. 본 기술은 이러한 문제를 해결하고자 금속 나노입자를 플로팅 게이트에 적용하고, 랭뮤어-블로젯 어셈블리 방법으로 균일하게 형성하며, 캡핑 리간드를 통해 전하 누설을 방지합니다. 이를 통해 우수한 신뢰성과 20% 신장 상태에서도 성능이 유지되는 뛰어난 신축성을 구현했습니다. 제조 공정이 간단하며, 웨어러블 생체신호 측정기와 전압 증폭기에 통합되어 생체 신호의 정확한 측정, 안정적인 저장 및 효율적 활용을 가능하게 합니다.
| 기술 분야 |
| 플렉서블 메모리 소자 |
| 판매 유형 | 자체 판매 |
| 판매 상태 | 판매 중 |
| 기술명 | |
| 웨어러블 플래시 메모리 장치 및 그 형성 방법 | |
| 기관명 | |
| 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 | |
| 대표 연구자 | 공동연구자 |
| 현택환 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 1020150191605 | - |
| 권리구분 | 출원일 |
| 특허 | 2015.12.31 |
| 중요 키워드 | |
생체신호 저장유연 전자제품실리콘 나노멤브레인차세대 메모리간단 제조 공정플렉서블 전자소자 | |
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