복수개의 직렬 연결 방식 트랜지스터 스위치의 과전압 방지 회로

[기술 요약] 초고전압 스위칭 시 직렬 연결 트랜지스터의 스위칭 시간 불균일로 인한 파괴 및 펄스 상승 시간 지연은 심각한 문제입니다. 본 기술은 복수개의 전계 효과 트랜지스터를 병렬 연결한 과전압 방지부를 통해 각 트랜지스터에 인가되는 전압을 균등하게 분배하고 제한합니다. 이 과전압 방지부는 FET의 다이오드 특성을 활용하여 제너 다이오드처럼 작동하며, 나노초(ns) 단위의 고속 응답으로 과전압을 즉시 억제합니다. 이로써 트랜지스터 파괴를 방지하고, 급격한 드레인 소스 전압 증가 및 펄스 상승 시간 지연 문제를 해결하여, 고전압 스위칭 회로의 안정성과 신뢰성을 획기적으로 향상시키고 제품 성능을 극대화합니다.

기술 분야

전력 반도체 과전압 보호 회로

기관

기초과학연구원

등록번호

1020076800000

키워드

나노초 동작, 과전압 방지 회로, 고전압 스위칭, 회로 안정성, 스위칭 신뢰성, 반도체 스위치, 전력 반도체, 전압 제한 기술, 초고전압 보호, 트랜지스터 파괴 방지, 드레인 소스 전압, 전계 효과 트랜지스터, 직렬 트랜지스터 스위치, 전자 회로 설계, 펄스 파형 개선, 전자부품, 회로제조, 전자회로, 반도체제조, 반도체소자, 신재생에너지, 자동차, 가전제품, 이차전지, 디스플레이