포토트랜지스터, 상기 포토트랜지스터의 형성 방법, 및 상기 포토트랜지스터를 포함하는 이미지 센서

[기술 요약] 기존 커브드 이미지 센서의 고집적화 및 유연성 한계를 극복하기 위해 MoS2와 그래핀 기반의 초박막 포토트랜지스터 기술이 개발되었습니다. 본 기술은 60nm 미만의 초박막 구조와 섬형 절연 패턴, 깎은 이십면체 형태를 적용하여 뛰어난 유연성과 스트레인 저항성을 확보합니다. 특히, HF 용액을 활용한 안정적인 전사 공정으로 MoS2와 그래핀 어레이의 고품질 이종 집적이 가능하며, 불량률을 2% 이하로 최소화합니다. 이를 통해 적외선 필터 없이도 정확한 이미징이 가능하며, 고성능 플렉시블 커브드 이미지 센서 및 신뢰성 높은 인공 망막 구현에 기여합니다.

기술 분야

차세대 이미지 센서

기관

기초과학연구원

키워드

차세대 카메라, 고집적화, 광흡수층, 이미징 기술, 커브드 이미지 센서, 그래핀, MoS2, 절연 패턴, 유연 전자소자, 스트레인 감소, 포토트랜지스터, 인공 망막, 박막 센서, 초박막 소자, 적외선 필터 불필요, 전자부품, 영상기기, 전자회로, 반도체제조, 반도체소자, 이미징기술, 센서기술, 나노구조, 반도체/디스플레이