[특허 요약] 본 발명은 Fe3GeTe2를 포함하는 자성층, 상기 자성층 상에서 제1 방향으로 이격되는 종단 전극들, 상기 종단 전극들에 연결되는 전압원, 상기 자성층과 수직적으로 중첩되는 자기장 발생원을 포함하되, 상기 전압원은 상기 자성층에 상기 자성층의 상면과 평행한 방향으로 전기장을 인가하도록 구성되고, 상기 자기장 발생원은 상기 자성층에 자기장을 인가하도록 구성되고, 상기 전기장 및 상기 자기장을 제어하여 상기 자성층에 자기 정보를 기록 및 저장하도록 구성되는 자기 메모리 장치 및 그것의 동작 방법을 제공한다.

등록번호

20200138030

출원번호

1020200063261

출원인

서울대학교산학협력단, 기초과학연구원

키워드

magnetic, state, magnetic layer, memory device, magnitude