[특허 요약] 본 발명은 층간 배향 기반 광 흡수 및 발광 특성을 가진 반도체 스택의 분석 방법을 공개한다. 이 방법은 (a) 화학 기상 증착법을 이용하여 결정방향이 일치하는 전이금속-칼코겐 화합물의 제1 스택이 제조되는 단계; (b) 물리적 전사를 이용하여 회전각 조절에 의해 결정 방향이 불일치하는 전이금속-칼코겐 화합물의 제2 스택이 제조되는 단계; (c) 상기 제1 및 제2 스택 각각의 원자층 간 광의 흡수 및 발광 양상이 측정되는 단계; 및 (d) 상기 측정된 광의 흡수 및 발광 양상을 동역학 분석하여 천이 밴드갭이 판별되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 2차원 반도체 적층 구조의 상대적인 결정 방향을 선택적으로 일치 또는 불일치시키는 조절이 가능하여 새로운 전자 구조를 인공적으로 형성할 수 있고, 종래에 보고되지 않은 새로운 인공 저 차원 반도체 구조를 실현 할 수 있게 된다. 또한, 2차원 원자층 물질 간의 상호작용이 원자층 간 회전각도에 따라 새로이 결정되어 다양한 광 물리 현상 연구가 가능해지고, 이를 통한 물질 특성 제어를 통하여 2차원 물질 발광체, 레이저, 광 검출기 등으로 실제 산업상에 폭넓게 응용이 가능하게 된다.

등록번호

20170000318

출원번호

1020160002593

출원인

기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단

키워드

stack, light, transition metal, interlayer, absorption