페로브스카이트 장치 및 그 형성 방법

[기술 요약] 기존 페로브스카이트 미세 패터닝은 패턴 불균일성 및 복잡한 공정의 한계가 있었습니다. 본 기술은 혁신적인 형성 방법을 통해 이 문제를 해결합니다. 기판 위에 리세스를 갖는 패턴 형성막을 형성하고 그 안에 페로브스카이트 패턴을 균일하게 증착하는 기술입니다. 특히, 무기막과 유기막을 조합한 패턴 형성막과 정밀 식각 공정을 활용하여, 기존 방식에서 발생하던 수축 현상 없이 서브 마이크론 규모의 고품질 미세 패턴을 구현합니다. 이로써 우수한 성능과 높은 신뢰성을 가진 페로브스카이트 장치를 간단하게 제조할 수 있으며, 광 검출기 등 다양한 고성능 광전 소자 개발에 크게 기여할 것입니다.

기술 분야

광전 반도체 소자 제조

기관

기초과학연구원

등록번호

1020924560000

키워드

차세대 태양전지, 유기-무기 하이브리드, 반도체 제조, 광전 소자, 재료 과학, 균일 패터닝, 광검출기, 페로브스카이트 장치, 박막 형성, 이미지 센서, 스핀 코팅, 웨이퍼 스케일, TASoP, 나노 기술, 신뢰성 향상, 반도체제조, 반도체소자, 이미징기술, 센서기술, 신재생에너지, 디스플레이, 반도체/디스플레이