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기존 이미지 센서는 플렉서블 및 곡면 형태 적용 시 성능 저하의 한계가 있었습니다. 본 기술은 고분자 역오팔 구조체의 혁신적인 형성 방법을 제시하여 이 문제를 해결합니다. 이 구조체는 이미지 센서의 광 흡수율과 광 감도를 획기적으로 향상시킵니다. 또한, 낮은 탄성 계수로 다양한 플렉서블 및 곡면 이미징 장치에 안정적으로 적용될 수 있습니다. 본 기술은 생체모방 이미징 장치의 성능을 극대화하여 미래 영상 기술 발전에 기여할 것입니다.
| 기술 분야 | 고분자 역오팔 이미징 기술 |
| 판매 유형 | 자체 판매 |
| 판매 상태 | 판매 중 |
| 기술명 | |
| 고분자 역오팔 구조체의 형성 방법, 고분자 역오팔 구조체를 포함하는 이미징 장치, 및 이미징 장치의 형성 방법 | |
| 기관명 | |
| 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 | |
| 대표 연구자 | 공동연구자 |
| 김대형 | - |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 1020210057537 | 1025067270000 |
| 권리구분 | 출원일 |
| 특허 | 2021.05.03 |
| 중요 키워드 | |
고분자 공정이미징 장치광 감도플렉서블 센서광 흡수율포토다이오드 | |
최근 다양한 이미지 센서가 개발되고 있으나, 응용 분야 확장을 위한 플렉서블 또는 곡면 형태의 이미지 센서는 형태 변화에 따라 성능이 저하되는 한계가 있습니다.
기존 기술로는 유연한 구조에서 이미지 센서의 성능을 안정적으로 향상시키는 데 어려움이 존재합니다.
무인 차량, 항공 드론 등 인공 시력 기반의 신기술 분야에서는 다양한 조명 조건에서도 고품질의 시각 정보를 획득할 수 있는 고성능 이미징 장치가 필수적입니다.
본 발명은 이러한 한계를 극복하고 이미징 장치의 성능을 획기적으로 향상시키는 고분자 역오팔 구조체를 제공하여, 기존 이미지 센서의 성능 저하 문제를 해결할 필요성에서 출발합니다.
고분자 역오팔 구조체는 내부에 주기적인 굴절률 변화를 가지는 광자 밴드갭을 형성합니다. 이 구조는 특정 파장 대역의 빛을 효과적으로 반사시키는 반사기 역할을 합니다.
포토다이오드를 통과한 빛이 이 구조에 의해 다시 포토다이오드 쪽으로 반사되면서 빛의 경로가 길어지고, 결과적으로 실리콘 층의 광 흡수율이 증가하여 이미지 센서의 감도가 향상됩니다.
희생 오팔 구조체 형성: 기판 위에 희생 나노입자(예: 실리카)를 포함하는 희생 오팔 구조체를 형성합니다.
나노입자-고분자 복합체 형성: 형성된 희생 오팔 구조체에 고분자를 주입하여 나노입자-고분자 복합체를 만듭니다.
고분자 역오팔 구조체 형성: 복합체에서 희생 나노입자만을 선택적으로 제거하여, 내부에 공기 구멍이 규칙적으로 배열된 최종 고분자 역오팔 구조체를 완성합니다.

향상된 광 흡수율 및 광 감도: 광 감도가 기존 소자 대비 약 41% 향상되었습니다 (기존 1.52 A/W → 적용 후 2.15 A/W).
높은 공정 안정성: 이미지 센서의 손상 없이 구조체를 형성할 수 있어, 성능 저하나 불량 없이 안정적인 생산이 가능합니다.
뛰어난 유연성: 고분자 소재를 사용하여 낮은 탄성 계수를 가지므로, 플렉서블하거나 곡면 형태의 다양한 이미징 장치에 쉽게 적용할 수 있습니다.
본 연구에서는 고양이 눈의 구조를 모방하여, 어두운 환경에서도 감도를 높이고 다양한 심도에서 선명한 이미지를 얻을 수 있는 생체 모방 이미징 장치를 구현하는 것을 목표로 하였습니다. 이를 위해 고분자 역오팔 구조체를 반사기로 활용하여 광 감도를 극대화하는 실험을 진행하였습니다.
초박막 포토다이오드 어레이 형성: SOI 웨이퍼를 이용하여 기판 위에 n-p-n 구성의 초박막 포토다이오드 어레이를 제작합니다.
실리카 오팔 구조체 형성: 제작된 포토다이오드 위에 실리카 나노입자를 자가 조립시켜 면심입방 구조의 희생 오팔 구조체를 형성합니다.
나노입자-고분자 복합체 형성: 실리카 오팔 구조체의 틈새로 광경화성 고분자(NOA 73)를 침투시킨 후, 자외선으로 부분 경화하여 복합체를 형성합니다.
고분자 역오팔 구조체 완성: 불산(HF) 용액을 이용해 실리카 나노입자만 선택적으로 제거하여 최종 고분자 역오팔 구조체를 완성합니다.
제작 과정에 따른 구조체의 광학적 특성 변화를 측정한 결과, 최종적으로 형성된 고분자 역오팔 구조체는 특정 파장의 빛을 효과적으로 반사하는 것을 확인했습니다. 각 구조체의 반사 피크 파장은 아래 표와 같습니다.
구조체별 반사 스펙트럼 피크 파장 비교
구조체 종류 | 반사 피크 파장(nm) | 관찰색 |
|---|---|---|
오팔 구조체 | 650 | 적색 |
나노입자-고분자 복합체 | 723 | 약한 반사 |
고분자 역오팔 구조체 | 520 | 황색 |
또한, 고분자 역오팔 구조체를 적용한 포토다이오드는 그렇지 않은 경우에 비해 광 감도가 크게 향상되었습니다. 이는 역오팔 구조가 약한 빛을 효과적으로 재활용하여 센서의 효율을 높였음을 의미합니다.
플렉서블 및 곡면 이미지 센서: 뛰어난 유연성을 바탕으로 사람의 눈과 유사한 반구형 이미지 센서나 웨어러블 기기에 탑재될 수 있습니다.
고감도 감지 시스템: 저조도 환경에서도 높은 감도를 유지하므로 야간 감시 카메라, 자율주행차의 라이다 및 카메라 센서 성능 향상에 기여할 수 있습니다.
차세대 인공 시각 장치: 항공 드론, 로봇 비전 시스템 등 복잡한 환경에서 특정 객체를 정밀하게 인식해야 하는 다양한 인공 시각 장치에 적용 가능합니다.
기술적 파급효과: 기존 이미지 센서의 한계를 뛰어넘는 새로운 설계 패러다임을 제시하여, 차세대 이미징 기술 분야에서 기술적 우위를 확보할 수 있습니다.
경제적 효과: 고성능 이미지 센서 시장의 수요에 부응하여 새로운 부가가치를 창출하고, 관련 산업의 경쟁력을 강화하는 데 기여할 것으로 기대됩니다.
안정성 및 신뢰성 확보: 우수한 공정 안정성을 바탕으로 제품 수율을 높이고, 다양한 환경에서 안정적으로 작동하는 고신뢰성 이미징 솔루션을 제공합니다.
본 기술이 적용되는 글로벌 이미지 센서 시장은 2023년 229.5억 달러 규모를 형성했으며, 2024년부터 2032년까지 연평균 9% 이상 성장할 것으로 전망됩니다. (출처: GMI)
CMOS 기술이 시장 성장을 주도하며 2023년 기준 전체 시장 점유율의 85% 이상을 차지했습니다.
가장 빠르게 성장하는 분야는 3D 이미징으로, 2032년까지 21억 달러 규모에 이를 것으로 예상됩니다.
지역적으로는 아시아 태평양 지역이 2023년 기준 50% 이상의 점유율로 시장을 선도하고 있습니다.
이미지 센서 시장은 소수의 기술 선도 기업들이 높은 점유율을 차지하고 있는 과점적 형태를 보입니다. 특히 Sony Semiconductor Solutions와 삼성전자가 전체 시장의 50% 이상을 점유하며 기술 개발과 시장을 이끌고 있습니다.
글로벌 이미지 센서 시장 주요 기업
기업명 | 특징 |
|---|---|
Sony Semiconductor Solutions | 시장 점유율 1위, CMOS 기술 선도 |
삼성전자 | Sony와 함께 시장의 50% 이상 점유하며 경쟁 |
자율주행 기술 발전: 각국의 안전 규제 강화와 자율주행차 상용화 계획으로 인해 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템)용 센서 시장이 폭발적으로 성장하고 있습니다. 특히 CMOS 이미지 센서 시장은 연평균 13.3%의 높은 성장률이 예상됩니다. (출처: KISTI)
웨어러블 및 헬스케어 시장 확대: 웨어러블 디바이스, 건강 모니터링, 로봇 공학 등에서 유연한 형태의 고성능 센서 수요가 증가하고 있습니다. 전 세계 스마트 센서 시장은 2025년 875억 8천만 달러에 이를 것으로 전망됩니다. (출처: 대한금속·재료학회)
차세대 AI 반도체 혁신: 센서 내에서 연산을 수행하는 '인-센서 컴퓨팅'과 같은 차세대 AI 반도체 기술이 발전하면서, 본 기술과 같은 고효율, 고성능 이미징 기술의 중요성이 더욱 커지고 있습니다. (출처: GIST)

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[기술 요약] 기존 이미지 센서는 플렉서블 및 곡면 형태 적용 시 성능 저하의 한계가 있었습니다. 본 기술은 고분자 역오팔 구조체의 혁신적인 형성 방법을 제시하여 이 문제를 해결합니다. 이 구조체는 이미지 센서의 광 흡수율과 광 감도를 획기적으로 향상시킵니다. 또한, 낮은 탄성 계수로 다양한 플렉서블 및 곡면 이미징 장치에 안정적으로 적용될 수 있습니다. 본 기술은 생체모방 이미징 장치의 성능을 극대화하여 미래 영상 기술 발전에 기여할 것입니다.
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