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[특허 요약] 본 발명은 초전도 박막에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 초전도층 및 상기 초전도층 상부 또는 내부에 2 - 20 nm 간격으로 형성된 섬(island) 또는 점(dot) 형상의 1 - 200 nm2 면적의 강자성체 또는 반강자성체를 포함하는 초전도 박막에 관한 것이다.
| 특허 상태 | 소멸 |
| 출원인 | 한국과학기술원, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 이진환, 야니스 세메르치디스 |
| 출원번호 | 1020140071219 |
| 출원일 | 2014.06.12 |
| 등록번호 | 101477989B |
| 등록일 | 2015.01.08 |
| 중요 키워드 | superconductingthin filmsuperconducting layer |
본 발명은 초전도 박막에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 초전도층 및 상기 초전도층 상부 또는 내부에 2 - 20 nm 간격으로 형성된 섬(island) 또는 점(dot) 형상의 1 - 200 nm2 면적의 강자성체 또는 반강자성체를 포함하는 초전도 박막에 관한 것이다.
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