보유 특허 상세 정보를 불러오는 중입니다...
[특허 요약] 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 다이오드는 핫 전자 기반 나노 다이오드이며, 광에 의해 핫 전자가 생성 및 증폭되는 그래핀 층; 그래핀 층과 쇼트키 접합을 이루는 반도체층;을 포함한다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 기초과학연구원, 한국과학기술원 |
| 발명자 | 박정영, 이영근, 이효선, 이창환 |
| 출원번호 | 1020140142325 |
| 출원일 | 2014.10.21 |
| 등록번호 | 101598779B |
| 등록일 | 2016.03.02 |
| 중요 키워드 | graphenelayerelectrode |
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 다이오드는 핫 전자 기반 나노 다이오드이며, 광에 의해 핫 전자가 생성 및 증폭되는 그래핀 층; 그래핀 층과 쇼트키 접합을 이루는 반도체층;을 포함한다.
연관 기술이전 로딩 중...
연관 연구자 로딩 중...
