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[특허 요약] 본 발명은 우수한 수 분산성 및 안정성을 갖는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐은 표면 개질되어 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 표면 개질된 고분자 캡슐; 및 표면 개질된 고분자 캡슐의 표면에 로딩된 전이금속 입자;를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 제조방법은 a) 고분자 캡슐을 제조하는 단계; b) 고분자 캡슐을 표면 개질하여, 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 고분자 캡슐을 제조하는 단계; 및 c) b) 단계에서 수득되는 표면 개질된 고분자 캡슐의 수분산액에 수용성 전이금속 전구체 및 환원제를 순차적으로 투입하는 단계;를 포함한다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단 |
| 발명자 | 김기문, 윤경원, 자히드 하산, 이지영, 김지홍, 김남훈, 백강균, 황일하 |
| 출원번호 | 1020150053065 |
| 출원일 | 2015.04.15 |
| 등록번호 | 20150119813 |
| 등록일 | 2015.10.26 |
| 중요 키워드 | transition metalloadedmetal particlespolymer capsulespolymer |
본 발명은 우수한 수 분산성 및 안정성을 갖는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐은 표면 개질되어 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 표면 개질된 고분자 캡슐; 및 표면 개질된 고분자 캡슐의 표면에 로딩된 전이금속 입자;를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 제조방법은 a) 고분자 캡슐을 제조하는 단계; b) 고분자 캡슐을 표면 개질하여, 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 고분자 캡슐을 제조하는 단계; 및 c) b) 단계에서 수득되는 표면 개질된 고분자 캡슐의 수분산액에 수용성 전이금속 전구체 및 환원제를 순차적으로 투입하는 단계;를 포함한다.
| 출원번호 | 출원일 |
| 201715586068 | 2017.05.03 |
| 종류코드 | |
| B2 | |
| 외부 링크 | |
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