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[특허 요약] 본 발명은 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 3차원 위상 부도체(3D topological insulator) 위에 단분자 금속층이 형성된 것을 특징으로 하는 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체, 및 텔루륨(Te) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상과 비스무스(Bi)를 가열하고 냉각시켜 합금을 제조하는 단계; 및 상기 합금 위에 단분자 금속층을 형성시키는 단계;를 포함하는 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체의 제조방법에 관한 것이다.
| 특허 상태 | 거절 |
| 출원인 | 기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단 |
| 발명자 | 염한웅, 김성환 |
| 출원번호 | 1020140141730 |
| 출원일 | 2014.10.20 |
| 등록번호 | 20160046159 |
| 등록일 | 2016.04.28 |
| 중요 키워드 | metal layerphase insulatorpresent |
본 발명은 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 3차원 위상 부도체(3D topological insulator) 위에 단분자 금속층이 형성된 것을 특징으로 하는 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체, 및 텔루륨(Te) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상과 비스무스(Bi)를 가열하고 냉각시켜 합금을 제조하는 단계; 및 상기 합금 위에 단분자 금속층을 형성시키는 단계;를 포함하는 새로운 표면 전자상태가 형성된 위상 부도체의 제조방법에 관한 것이다.
| 출원번호 | 출원일 |
| 201514886736 | 2015.10.19 |
| 종류코드 | |
| A1 | |
| 외부 링크 | |
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