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[특허 요약] 본 발명은 유순한 혼합산 조성물을 이용한 중이온 가속관의 나이오븀 식각방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 중이온 가속기에 적용되는 초전도체 물질의 고순도 나이오븀(Nb) 중이온 가속관에 있어서 금속을 가공이나 가압성형하는 공정 중에 발생된 물리적 결함을 회복시키기 위한 식각액으로 인체 및 환경에 유순하고, 비점이 높은 혼합산(Mixed acids)을 이용하여 화학적 식각방법 내지는 전해연마(Electropolishing) 방법에 의해 나이오븀(Nb)의 물리적 결함을 회복시킴으로써, 기존에 비해 환경친화적이고 바람직한 방법으로 가공이 가능하도록 하는 유순한 혼합산 조성물을 이용한 중이온 가속관의 나이오븀(Nb) 식각방법에 관한 것이다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 한국화학연구원, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 이혁희, 장태선, 김형진, 정유철, 전동오 |
| 출원번호 | 1020140089299 |
| 출원일 | 2014.07.15 |
| 등록번호 | 20160008899 |
| 등록일 | 2016.01.25 |
| 중요 키워드 | acidniobiumetching |
본 발명은 유순한 혼합산 조성물을 이용한 중이온 가속관의 나이오븀 식각방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 중이온 가속기에 적용되는 초전도체 물질의 고순도 나이오븀(Nb) 중이온 가속관에 있어서 금속을 가공이나 가압성형하는 공정 중에 발생된 물리적 결함을 회복시키기 위한 식각액으로 인체 및 환경에 유순하고, 비점이 높은 혼합산(Mixed acids)을 이용하여 화학적 식각방법 내지는 전해연마(Electropolishing) 방법에 의해 나이오븀(Nb)의 물리적 결함을 회복시킴으로써, 기존에 비해 환경친화적이고 바람직한 방법으로 가공이 가능하도록 하는 유순한 혼합산 조성물을 이용한 중이온 가속관의 나이오븀(Nb) 식각방법에 관한 것이다.
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