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[특허 요약] 본 발명은, 동위원소 생성을 위해 70 MeV, 1 mA 급의 양성자 빔을 UCx 타겟에 충격을 가하여 생성되는 다양한 핵종을 이온화 시켜 인출 및 가속시키는 장치인 ISOL Front-end 시스템에 적용되는 케이블 덕트에 관련된 것이다. ISOL Front-end 시스템에 적용되는 대전류 전송용 도체, 유공압라인, 신호선 등을 공급하는데 있어서 요구되는 고준위 방사선 차폐와 절연 특성 및 내전압 특성 등을 만족시킬 수 있는 케이블덕트를 제공한다. 본 발명에서 케이블덕트의 특징적 구성으로는, 고전압용 케이블 덕트와 낮은 전압용 케이블 덕트의 분리, 고전압 절연을 위한 세라믹 브레이크, 절연 및 고준위 중성자 차폐체로 질화붕소(BN: Boron Nitride) 분말의 이용을 들 수 있다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 기초과학연구원 |
| 발명자 | 서창석, 이진호, 이시야마 히로노부 |
| 출원번호 | 1020160116500 |
| 출원일 | 2016.09.09 |
| 등록번호 | 20180028754 |
| 등록일 | 2018.03.19 |
| 중요 키워드 | cable ductconductorline |
본 발명은, 동위원소 생성을 위해 70 MeV, 1 mA 급의 양성자 빔을 UCx 타겟에 충격을 가하여 생성되는 다양한 핵종을 이온화 시켜 인출 및 가속시키는 장치인 ISOL Front-end 시스템에 적용되는 케이블 덕트에 관련된 것이다. ISOL Front-end 시스템에 적용되는 대전류 전송용 도체, 유공압라인, 신호선 등을 공급하는데 있어서 요구되는 고준위 방사선 차폐와 절연 특성 및 내전압 특성 등을 만족시킬 수 있는 케이블덕트를 제공한다. 본 발명에서 케이블덕트의 특징적 구성으로는, 고전압용 케이블 덕트와 낮은 전압용 케이블 덕트의 분리, 고전압 절연을 위한 세라믹 브레이크, 절연 및 고준위 중성자 차폐체로 질화붕소(BN: Boron Nitride) 분말의 이용을 들 수 있다.








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