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[특허 요약] Sn-Se계 열전 재료 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 Sn-Se계 열전 재료는 하기 화학식을 갖는다. [화학식] M1 z(Sn1-xM2 y)1-zSe 상기 화학식에서, M1은 1족 금속을 포함하고, M2는 13족 금속을 포함하며, 0≤x≤0.15, 0<y≤0.1, 0≤z≤0.03이다. Sn-Se계 열전 재료의 제조 방법은, Sn, Se, 제1 금속, 및 제2 금속을 혼합하고 가열하여 반응시키는 단계, 반응 생성물을 냉각한 후 가열하여 어닐링하는 단계, 및 상기 반응 생성물을 분쇄한 후 소결하는 단계를 포함하고, 상기 제1 금속은 1족 금속을 포함하고, 상기 제2 금속은 13족 금속을 포함한다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 정인, 이용규 |
| 출원번호 | 1020180012979 |
| 출원일 | 2018.02.01 |
| 등록번호 | 20190093391 |
| 등록일 | 2019.08.09 |
| 중요 키워드 | thermoelectric materialbased thermoelectricmetalpresentmanufacturing |
Sn-Se계 열전 재료 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 Sn-Se계 열전 재료는 하기 화학식을 갖는다. [화학식] M1 z(Sn1-xM2 y)1-zSe 상기 화학식에서, M1은 1족 금속을 포함하고, M2는 13족 금속을 포함하며, 0≤x≤0.15, 0<y≤0.1, 0≤z≤0.03이다. Sn-Se계 열전 재료의 제조 방법은, Sn, Se, 제1 금속, 및 제2 금속을 혼합하고 가열하여 반응시키는 단계, 반응 생성물을 냉각한 후 가열하여 어닐링하는 단계, 및 상기 반응 생성물을 분쇄한 후 소결하는 단계를 포함하고, 상기 제1 금속은 1족 금속을 포함하고, 상기 제2 금속은 13족 금속을 포함한다.
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