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[특허 요약] 열전 물질 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 열전 물질은 하기 화학식을 갖는다. [화학식] Am+ 12-n/mBn+X2- 6-zY1- z 상기 화학식에서, A는 Cu, Ag, Na, Li, K, Cd, Hg, 및 Zn 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하고, B는 Ga, Ge, Si, Sn, P, 및 As 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하며, X는 S, Se, 및 Te 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하고, Y는 F, Cl, Br, 및 I 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하며, m은 A의 이온가를 나타내고, n은 B의 이온가를 나타내며, z는 0과 1 사이의 실수를 나타낸다. 상기 열전 물질의 형성 방법은 상기 화학식을 갖는 열전 물질을 형성하는 방법으로서, A, B, X, 및 Y를 포함하는 반응 성분을 열처리하여 미세 입자를 형성하는 단계 및 상기 미세 입자를 소결하여 펠렛을 형성하는 단계를 포함한다.
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 정인, 총지안 조우 |
| 출원번호 | 1020170185027 |
| 출원일 | 2017.12.31 |
| 등록번호 | 20190082424 |
| 등록일 | 2019.07.10 |
| 중요 키워드 | thermoelectric materialsinteringsnse |
열전 물질 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 열전 물질은 하기 화학식을 갖는다. [화학식] Am+ 12-n/mBn+X2- 6-zY1- z 상기 화학식에서, A는 Cu, Ag, Na, Li, K, Cd, Hg, 및 Zn 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하고, B는 Ga, Ge, Si, Sn, P, 및 As 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하며, X는 S, Se, 및 Te 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하고, Y는 F, Cl, Br, 및 I 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하며, m은 A의 이온가를 나타내고, n은 B의 이온가를 나타내며, z는 0과 1 사이의 실수를 나타낸다. 상기 열전 물질의 형성 방법은 상기 화학식을 갖는 열전 물질을 형성하는 방법으로서, A, B, X, 및 Y를 포함하는 반응 성분을 열처리하여 미세 입자를 형성하는 단계 및 상기 미세 입자를 소결하여 펠렛을 형성하는 단계를 포함한다.







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