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[특허 요약] 본 발명은 초미세 반도체 소자의 구현을 가능하게 할 수 있는 복합 구조체에 관한 것으로, 상세하게 본 발명에 따른 복합 구조체는 이방성 원자 구조를 갖는 이차원 물질이 적층된 적층체 및 적층체의 일 표면으로부터 두께방향으로 전이금속 원자가 주기성을 가지고 위치하는 것으로부터 기인한 하나 이상의 전도성 채널을 포함한다.
| 특허 상태 | 미공개 |
| 출원인 | 기초과학연구원, 울산과학기술원 |
| 발명자 | 이종훈, 이석우, 윤종찬, 신형준, 김요한 |
| 출원번호 | 2022015569 |
| 출원일 | 2022.10.14 |
| 등록번호 | 2023063766A |
| 등록일 | 2023.04.20 |
| 중요 키워드 | transition metalperiodicitycomposite structure |
본 발명은 초미세 반도체 소자의 구현을 가능하게 할 수 있는 복합 구조체에 관한 것으로, 상세하게 본 발명에 따른 복합 구조체는 이방성 원자 구조를 갖는 이차원 물질이 적층된 적층체 및 적층체의 일 표면으로부터 두께방향으로 전이금속 원자가 주기성을 가지고 위치하는 것으로부터 기인한 하나 이상의 전도성 채널을 포함한다.
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020210136299 | 2021.10.14 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |
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