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| 특허 상태 | 공개 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 현택환, 이병훈 |
| 출원번호 | 2020000124 |
| 출원일 | 2020.01.03 |
| 등록번호 | 2020141936A |
| 등록일 | 2020.07.09 |
| 중요 키워드 | tiometalsingle atom |
단일 원자 촉매 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 단일 원자 촉매는 제1 금속 산화물을 포함하는 지지체 및 상기 제1 금속 산화물에 위치하는 제2 금속 원자를 포함한다. 상기 단일 원자 촉매의 형성 방법은, 희생 나노입자를 형성하는 단계, 상기 희생 나노입자를 제1 금속 산화물로 코팅하여 지지체를 형성하는 단계, 상기 제1 금속 산화물에 제2 금속 원자를 흡착시키는 단계, 상기 지지체 위에 희생층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 금속 산화물을 가열하는 단계를 포함한다.
















































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단일 원자 촉매 및 그 형성 방법
[특허 요약] 단일 원자 촉매 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 단일 원자 촉매는 제1 금속 산화물을 포함하는 지지체 및 상기 제1 금속 산화물에 위치하는 제2 금속 원자를 포함한다. 상기 단일 원자 촉매의 형성 방법은, 희생 나노입자를 형성하는 단계, 상기 희생 나노입자를 제1 금속 산화물로 코팅하여 지지체를 형성하는 단계, 상기 제1 금속 산화물에 제2 금속 원자를 흡착시키는 단계, 상기 지지체 위에 희생층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 금속 산화물을 가열하는 단계를 포함한다.
| 출원번호 | 출원일 |
| 202017418581 | 2020.01.03 |
| 종류코드 | |
| B2 | |
| 외부 링크 | |
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020190001082 | 2019.01.04 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |