[특허 요약] 본 발명에 따른 2차원 반도체는, 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접하는 제2 영역을 갖는 2차원 전이금속 칼코겐화합물 막을 포함하되, 상기 제1 영역은 제1 도전형을 갖고, 상기 제2 영역은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지며, 상기 제1 영역은 산소 원자가 도핑되어 있다.

등록번호

2020055013A

출원번호

2019011160

출원인

기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단

키워드

region, transition metal, dimensional, semiconductor, type