유전막 및 이를 구비하는 반도체 메모리 소자와 이들의 형성 방법

[특허 요약] 본 발명은 BexM1-xO의 화학식을 가지는 화합물로 이루어지되, 상기 M은 알칼리토금속들 중의 어느 하나이며, 상기 x는 0 보다 크고 0.5 보다 작은 값을 가지며, 상온 안정상으로 암염(rocksalt) 구조를 가지는, 유전막을 제공한다.

특허 등록번호

2019208903A

특허 출원번호

2018016973

출원일

2018.12.31

등록일

2019.10.31

국가

세계_지적_재산권_기구

출원인

한국과학기술연구원, 기초과학연구원, 울산과학기술원

발명자

김성근, 이우철, 김상태, 송현철, 백승협, 최지원, 김진상, 강종윤, 빌라브스키크리스토퍼더블류, 염정환, 라슨에릭에스

중요 키워드

dielectric film, alkaline earth, less, memory device, semiconductor memory