[특허 요약] 본 발명은 BexM1-xO의 화학식을 가지는 화합물로 이루어지되, 상기 M은 알칼리토금속들 중의 어느 하나이며, 상기 x는 0 보다 크고 0.5 보다 작은 값을 가지며, 상온 안정상으로 암염(rocksalt) 구조를 가지는, 유전막을 제공한다.

등록번호

2019208903A

출원번호

2018016973

출원인

한국과학기술연구원, 기초과학연구원, 울산과학기술원

키워드

dielectric film, alkaline earth, less, memory device, semiconductor memory