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[특허 요약] 本发明提供一种介电膜，其由化学式为BexM1‑xO的化合物构成，所述M是碱土金属中的一种，所述x的值大于0且小于0.5，所述介电膜具有岩盐(rocksalt)结构作为常温稳定相。
| 특허 상태 | 등록 |
| 출원인 | 한국과학기술연구원, 기초과학연구원, 울산과학기술원 |
| 발명자 | 金成根, 李愚澈, 金相兑, 宋眩澈, 白承协, 崔志远, 金镇相, 姜钟鈗, C·W·比尔劳斯基, 廉政桓, E·S·拉森 |
| 출원번호 | 201811623772 |
| 출원일 | 2018.12.28 |
| 등록번호 | 110400792 |
| 등록일 | 2023.05.19 |
| 중요 키워드 | dielectric filmalkaline earthearth metalsemiconductor memorymemory element |
本发明提供一种介电膜，其由化学式为BexM1‑xO的化合物构成，所述M是碱土金属中的一种，所述x的值大于0且小于0.5，所述介电膜具有岩盐(rocksalt)结构作为常温稳定相。
| 출원번호 | 출원일 |
| 2018016973 | 2018.12.31 |
| 종류코드 | |
| A1 | |
| 외부 링크 | |
| 출원번호 | 출원일 |
| 201816225432 | 2018.12.19 |
| 종류코드 | |
| B2 | |
| 외부 링크 | |
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020180047915 | 2018.04.25 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |
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