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[특허 요약] 본 발명은 2차원 반도체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 포스퍼린의 구조적 특징에 주목하여 포스퍼린 표면에 알카리금속 원자를 흡착시켜 강한 전계 효과를 유발시켜 슈타르크 효과로 인해 포스퍼린 밴드갭을 폭넓게 조작할 수 있으므로, 불과 원자 몇 개 수준의 두께를 갖는 얇은 2차원 반도체 물질을 이용한 초소형 전자소자를 제조할 수 있다.
| 특허 상태 | 미공개 |
| 출원인 | 기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단 |
| 발명자 | 김근수, 김지민 |
| 출원번호 | 2016007032 |
| 출원일 | 2016.06.30 |
| 등록번호 | 2017018675A |
| 등록일 | 2017.02.02 |
| 중요 키워드 | bandalkali metalsemiconductor |
본 발명은 2차원 반도체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 포스퍼린의 구조적 특징에 주목하여 포스퍼린 표면에 알카리금속 원자를 흡착시켜 강한 전계 효과를 유발시켜 슈타르크 효과로 인해 포스퍼린 밴드갭을 폭넓게 조작할 수 있으므로, 불과 원자 몇 개 수준의 두께를 갖는 얇은 2차원 반도체 물질을 이용한 초소형 전자소자를 제조할 수 있다.
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020150107971 | 2015.07.30 |
| 종류코드 | |
| B1 | |
| 외부 링크 | |
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