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[특허 요약] 【課題】量子ドット電子装置及び量子ドット転写印刷方法が提供される。【解決手段】量子ドット電子装置100は、第1エンキャプシュレーション層(encapsulation)170、第1電極130、量子ドットパターン120、第2電極140、及び第2エンキャプシュレーション層180が順次に積層された構造を有する。また、量子ドット電子装置100は、量子ドットパターン120と第1電極130の間に配置された第1電荷伝達層150と、量子ドットパターン120と第2電極140の間に配置された第2電荷伝達層160をさらに含む。更に、量子ドットパターン120は量子ドット転写印刷方法によって形成されることができ、CdSe/ZnS量子ドットとCdSe/CdS/ZnS量子ドットの中から選択される一つ以上を含むコロイドナノ結晶物質で形成される。【選択図】図27
| 특허 상태 | 미공개 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | キム,デヒョン, Daehyun Kim, ヒョン,テクファン, Taeghwan Hyeon, チェ,ムンキ, Moonkee Choi, ヤン,ジウン, Jiwoong Yang, カン,グァンフン, Kwanghun Kang |
| 출원번호 | 2018134095 |
| 출원일 | 2018.07.17 |
| 등록번호 | 2018186096 |
| 등록일 | 2018.11.22 |
| 중요 키워드 | quantum dotlayer |
【課題】量子ドット電子装置及び量子ドット転写印刷方法が提供される。【解決手段】量子ドット電子装置100は、第1エンキャプシュレーション層(encapsulation)170、第1電極130、量子ドットパターン120、第2電極140、及び第2エンキャプシュレーション層180が順次に積層された構造を有する。また、量子ドット電子装置100は、量子ドットパターン120と第1電極130の間に配置された第1電荷伝達層150と、量子ドットパターン120と第2電極140の間に配置された第2電荷伝達層160をさらに含む。更に、量子ドットパターン120は量子ドット転写印刷方法によって形成されることができ、CdSe/ZnS量子ドットとCdSe/CdS/ZnS量子ドットの中から選択される一つ以上を含むコロイドナノ結晶物質で形成される。【選択図】図27
| 출원번호 | 출원일 |
| 201580064194 | 2015.07.22 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |
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| 출원번호 | 출원일 |
| 2017527766 | 2015.07.22 |
| 종류코드 | |
| B2 | |
| 외부 링크 | |
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020140170841 | 2014.12.02 |
| 종류코드 | |
| B1 | |
| 외부 링크 | |
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020140169056 | 2014.11.28 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |