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[특허 요약] 【課題】量子ドット電子装置及び量子ドット転写印刷方法が提供される。【解決手段】量子ドット電子装置１００は、第１エンキャプシュレーション層（encapsulation）１７０、第１電極１３０、量子ドットパターン１２０、第２電極１４０、及び第２エンキャプシュレーション層１８０が順次に積層された構造を有する。また、量子ドット電子装置１００は、量子ドットパターン１２０と第１電極１３０の間に配置された第１電荷伝達層１５０と、量子ドットパターン１２０と第２電極１４０の間に配置された第２電荷伝達層１６０をさらに含む。更に、量子ドットパターン１２０は量子ドット転写印刷方法によって形成されることができ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子ドットとＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ量子ドットの中から選択される一つ以上を含むコロイドナノ結晶物質で形成される。【選択図】図２７
| 특허 상태 | 미공개 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | キム，デヒョン, Daehyun Kim, ヒョン，テクファン, Taeghwan Hyeon, チェ，ムンキ, Moonkee Choi, ヤン，ジウン, Jiwoong Yang, カン，グァンフン, Kwanghun Kang |
| 출원번호 | 2018134095 |
| 출원일 | 2018.07.17 |
| 등록번호 | 2018186096 |
| 등록일 | 2018.11.22 |
| 중요 키워드 | quantum dotlayer |
【課題】量子ドット電子装置及び量子ドット転写印刷方法が提供される。【解決手段】量子ドット電子装置１００は、第１エンキャプシュレーション層（encapsulation）１７０、第１電極１３０、量子ドットパターン１２０、第２電極１４０、及び第２エンキャプシュレーション層１８０が順次に積層された構造を有する。また、量子ドット電子装置１００は、量子ドットパターン１２０と第１電極１３０の間に配置された第１電荷伝達層１５０と、量子ドットパターン１２０と第２電極１４０の間に配置された第２電荷伝達層１６０をさらに含む。更に、量子ドットパターン１２０は量子ドット転写印刷方法によって形成されることができ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子ドットとＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ量子ドットの中から選択される一つ以上を含むコロイドナノ結晶物質で形成される。【選択図】図２７
| 출원번호 | 출원일 |
| 201580064194 | 2015.07.22 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |
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| 출원번호 | 출원일 |
| 2017527766 | 2015.07.22 |
| 종류코드 | |
| B2 | |
| 외부 링크 | |
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020140170841 | 2014.12.02 |
| 종류코드 | |
| B1 | |
| 외부 링크 | |
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020140169056 | 2014.11.28 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |