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| 특허 상태 | 공개 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 金大亨, 玄泽焕, 崔文基, 梁智雄, 姜光薰 |
| 출원번호 | 201580064194 |
| 출원일 | 2015.07.22 |
| 등록번호 | 107004737 |
| 등록일 | 2017.08.01 |
| 중요 키워드 | quantum dotlayersubstrate |
本发明提供量子点电子设备以及量子点转印方法。所述量子点电子设备包括：第一封装层；第一电极，配置在所述第一封装层上；量子点图案，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述量子点图案上；第二封装层，配置在所述第二电极上。所述量子点图案可通过凹版转印方法来形成。所述量子点转印方法包括：在供体基板形成量子点层的步骤；利用印模提取所述量子点层的步骤；利用所述印模，使所述量子点层与凹版基板接触的步骤；从所述凹版基板分离所述印模的步骤。通过所述量子点转印方法，能够以高转印率来转印超小型的量子点图案。由此，可以实现性能优异且高集成的量子点电子设备以及高分辨率的超薄膜量子点发光装置。
| 출원번호 | 출원일 |
| 2018134095 | 2018.07.17 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |
| 출원번호 | 출원일 |
| 2017527766 | 2015.07.22 |
| 종류코드 | |
| B2 | |
| 외부 링크 | |
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| 출원번호 | 출원일 |
| 1020140170841 | 2014.12.02 |
| 종류코드 | |
| B1 | |
| 외부 링크 | |
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020140169056 | 2014.11.28 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |
一种量子点电子设备及量子点转印方法
[특허 요약] 本发明提供量子点电子设备以及量子点转印方法。所述量子点电子设备包括：第一封装层；第一电极，配置在所述第一封装层上；量子点图案，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述量子点图案上；第二封装层，配置在所述第二电极上。所述量子点图案可通过凹版转印方法来形成。所述量子点转印方法包括：在供体基板形成量子点层的步骤；利用印模提取所述量子点层的步骤；利用所述印模，使所述量子点层与凹版基板接触的步骤；从所述凹版基板分离所述印模的步骤。通过所述量子点转印方法，能够以高转印率来转印超小型的量子点图案。由此，可以实现性能优异且高集成的量子点电子设备以及高分辨率的超薄膜量子点发光装置。