[특허 요약] 본 발명은 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 전도체 층 사이에 형성된 부도체 층으로 이루어지는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극에 인접하여 형성된 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 금속 나노입자 층; 상기 금속 나노입자 층에 인접하여 형성된 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 및 상기 제2 금속산화물 층에 인접하여 형성된 제2 전극을 포함하는, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.

등록번호

2015130114A

출원번호

2015001904

출원인

서울대학교산학협력단, 기초과학연구원

키워드

oxide, metal, memory device, layer, metal oxide