보유 특허 상세 정보를 불러오는 중입니다...
[특허 요약] 본 발명은 신축성 및 연성 전자 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 탄성 기재; 상기 탄성 기재에 인접하여 형성된 제1 패턴화된 고분자 층; 상기 패턴화된 고분자 층에 인접하여 형성된 전자 소자; 상기 메모리소자에 인접하여 형성된 제2 패턴화된 고분자 층을 포함하고, 상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자 층에 인접한 상기 메모리소자의 제1 전극 및 제2 전극 각각이 패턴화된 것인, 신축성 및 연성 전자 소자 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
| 특허 상태 | 미공개 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | 김대형, 현택환, 손동희, 이종하 |
| 출원번호 | 2015001907 |
| 출원일 | 2015.02.27 |
| 등록번호 | 2015130116A |
| 등록일 | 2015.09.03 |
| 중요 키워드 | oxideelectronic devicelayer |
본 발명은 신축성 및 연성 전자 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 탄성 기재; 상기 탄성 기재에 인접하여 형성된 제1 패턴화된 고분자 층; 상기 패턴화된 고분자 층에 인접하여 형성된 전자 소자; 상기 메모리소자에 인접하여 형성된 제2 패턴화된 고분자 층을 포함하고, 상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자 층에 인접한 상기 메모리소자의 제1 전극 및 제2 전극 각각이 패턴화된 것인, 신축성 및 연성 전자 소자 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
| 출원번호 | 출원일 |
| 1020140023731 | 2014.02.27 |
| 종류코드 | |
| A | |
| 외부 링크 | |
연관 기술이전 로딩 중...
연관 연구자 로딩 중...