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질화탄소층 및 그 형성 방법
[특허 요약] 질화탄소층 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 질화탄소층은 실리콘층 위에 배치되고, 상기 실리콘층과의 계면에서 N-Si 공유 결합을 갖는다. 상기 질화탄소층의 형성 방법은, 퍼니스 내에 실리콘 기판과 질화탄소 전구체를 배치하는 단계, 상기 실리콘 기판에 상기 질화탄소 전구체를 제공하여 상기 실리콘 기판에 질화탄소층을 형성하는 단계, 및 상기 질화탄소층에 대하여 수소 어닐링 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
| 특허 상태 | 공개 |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 발명자 | - |
| 출원번호 | 1020240177508 |
| 출원일 | 2024.12.03 |
| 등록번호 | 10-2026-0086352 |
| 등록일 | 2024.12.03 |
질화탄소층 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 질화탄소층은 실리콘층 위에 배치되고, 상기 실리콘층과의 계면에서 N-Si 공유 결합을 갖는다. 상기 질화탄소층의 형성 방법은, 퍼니스 내에 실리콘 기판과 질화탄소 전구체를 배치하는 단계, 상기 실리콘 기판에 상기 질화탄소 전구체를 제공하여 상기 실리콘 기판에 질화탄소층을 형성하는 단계, 및 상기 질화탄소층에 대하여 수소 어닐링 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
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