제목 | 반도체소자 성능 높이는 신소재 전자기판 개발 | ||
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보도일 | 2015-10-28 19:00 | 조회 | 4901 |
연구단명 |
나노구조물리 연구단 |
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보도자료 |
151028[보도자료]반도체소자 성능 높이는 신소재 전자기판 개발(나노구조물리 연구단, Nature Communication).hwp
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첨부 |
151028[그림 및 사진자료](10월 29일 조간 배포).zip
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반도체소자 성능 높이는 신소재 전자기판 개발 IBS 나노구조물리 연구단, 2차원 반도체 동작 속도 150배 높여 - 세계 최초 상용화 가능한 대면적·고결정 절연체 박막 기술 개발 전기회로와 반도체 제작에는 산화물 절연체 기판*이 널리 쓰인다. 하지만 기판과 소재 사이의 강한 상호작용으로 인해, 소재가 가진 고유 성능이 저하되는 문제가 있었다. 절연체 기판 : 전기회로는 절연체 기판 위에 축전기, 저항기, 다이오드 등의 전자소자가 위치하고, 기판에 프린팅 된 구리 전선을 통해 전하가 흐르게 된다. 특히 반도체의 경우 얇은 원자층 소재가 쓰여 절연체 기판이 소재와 소재간의 간섭을 최소화하는 역할을 한다. 국내외 연구진은 공동으로 전자소재 및 소자의 성능을 손실 없이 구현할 수 있는 대면적 2차원 절연체 기판 개발에 성공했다. 보론 나이트라이드 (h-BN, Hexagonal Boron Nitride) : 붕소와 질소로 이루어진 육각형(Hexagonal) 벌집구조 모양의 2차원 물질로 부도체의 물성을 지닌다. 기판과 전자소재 및 소자간의 상호작용을 최소화해, 소재 및 소자의 성능을 온전히 유지 시킬 수 있는 신물질로 각광받고 있다. 연구팀은 h-BN의 대면적·고결정 추출법을 고안해 기술적 한계를 극복하였다. 이로서 절연체 기판의 보편적 재료인 산화물 대체가 근시일내 가능할 것으로 예상된다. 나아가 연구진은 h-BN 기판에 다수의 이차원 전자 소재를 적용하여 소재의 성능 향상을 수치상으로 확인하였다. 김수민 박사는 “전자소자 연구의 최대 난제를 해결할 수 있는 이상적인 소재의 대면적화를 제시했다”며 “테라헤르츠(THz)급 전자소자 산업의 빠른 상용화를 이끌 기반을 마련할 것”이라고 말했다.
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